• 半導體區熔

    硅、鍺等半導體材料的區熔提純設備。

    半導體區熔

    適用范圍
    硅、鍺等半導體材料的區熔提純設備。

    技術特點
    ①采用真空區熔工藝,感應器通過變頻機構緩慢移動,速度可調節。
    ②固態高頻MOSFET電源,設備體積小;恒功率控制技術,工藝穩定。
    ③與原電子管高頻電源相比,節電率30%以上,并且工藝可控性好。
    ④低壓諧振,電磁輻射小,工作環境安全。
    ⑤采用PLC+HMI,可實現自動加熱控制,方便靈活。
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    典型圖例

    鍺提純

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    鍺提純

    鍺提純設備


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